RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
38
Rund um -41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
16.2
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3701
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link