RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
18.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3701
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link