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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
39
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
25600
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
3000
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB RAM-Vergleiche
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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