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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Comparez
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Note globale
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Note globale
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
39
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
38
39
Vitesse de lecture, GB/s
15.5
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2283
3000
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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