RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
89
Rund um 47% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
89
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
7.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
1571
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link