RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
40
Rund um -135% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.1
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
18.0
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
22.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
18.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1789
3847
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link