RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
14.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3048
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link