RAM-Vergleich Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Gesamtnote

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 71

Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

10.6 6.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.8 4.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Höhere Speicherbandbreite, mbps

10600 8500

Rund um 1.25 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns