RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
31
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
15.1
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3425
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link