RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
98
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
98
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
14.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
7.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
1447
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link