RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
8500
Rund um 2.51 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
16.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
21300
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3562
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link