RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
28
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.9
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
22
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
19.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.7
16.9
Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180Z 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link