RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
12.7
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
22
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.7
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.7
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3075
3859
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link