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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.8
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
2757
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
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