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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
2,936.9
15.6
写入速度,GB/s
1,884.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2757
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
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