RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
51
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
8.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
51
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2182
3025
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link