RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
62
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
14900
Rund um 1.29 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
62
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
14900
19200
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2065
1808
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link