RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wynik ogólny
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
14900
Wokół strony 1.29 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
37
62
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
14900
19200
Other
Opis
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2065
1808
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Inmos + 256MB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link