RAM-Vergleich SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Gesamtnote

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

18 37

Rund um -106% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

20.4 9.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

17.2 7.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 14900

Rund um 1.29 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2065 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns