Confronto tra le RAM SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Punteggio complessivo

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

18 37

Intorno -106% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

20.4 9.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

17.2 7.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 14900

Intorno 1.29 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2065 3814

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns