RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
41
Rund um -46% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
13.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
41
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
16.1
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2290
3772
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link