RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um -144% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,929.1
12.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,978.2
16.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
511
3259
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 9905428-129.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link