RAM-Vergleich TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Gesamtnote

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

870.4 1,500.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

47 87

Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 3

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

6400 5300

Rund um 1.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

417 460

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns