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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
59
Rund um -64% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
59
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,723.5
15.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,076.1
11.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
741
2981
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
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