RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
68
Rund um -258% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
14.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
3521
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link