SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,013.5 14.9

Среднее значение в тестах

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 68

Около -258% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 19
Скорость чтения, Гб/сек

4,402.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

2,013.5 14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

701 3521

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

Kingston 9905630-033.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB

модули RAM

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston K531R8-MIN 4GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

Kingston 9905625-074.A00G 16GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

Kingston 9965589-024.D01G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

Kingston 9905734-022.A00G 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

Kingston 9965596-036.B00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB

модули RAM