RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
44
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.5
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
14.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3177
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link