RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
44
Rund um -52% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
44
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14,740.4
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8,883.4
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2811
3614
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link