RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Vergleichen Sie
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Gesamtnote
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gesamtnote
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
63
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
1,447.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
63
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,231.0
21.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,447.3
17.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
478
3788
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T5263AZ3-CF7 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link