RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.9
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2305
3568
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB RAM-Vergleiche
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link