RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2305
3568
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ3F1600LV2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link