RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Vergleichen Sie
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Gesamtnote
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gesamtnote
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
50
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.7
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
1,457.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
50
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,757.3
9.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,457.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
557
1767
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link