RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
87
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2690
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link