RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
87
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
15.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3914
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link