RAM-Vergleich TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Gesamtnote

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 20.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

870.4 10.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

52 87

Rund um -67% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 5300

Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

417 2472

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns