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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Inmos + 256MB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Inmos + 256MB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Inmos + 256MB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
87
Rund um -190% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
16800
5300
Rund um 3.17 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Inmos + 256MB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
11.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
16800
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-16800, TBD1 V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2318
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
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Inmos + 256MB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
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