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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
85
87
Rund um -2% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
85
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
1772
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
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