RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
87
Rund um -222% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3223
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link