RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
53
Rund um -36% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3233
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link