RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
96
Rund um -182% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
11.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
2831
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Samsung M471B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link