RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Comparez
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Note globale
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
96
Autour de -182% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,336.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
96
34
Vitesse de lecture, GB/s
2,725.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,336.0
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
438
2831
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link