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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
94
En -276% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.8
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
25
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
16.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
4060
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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