RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Puntuación global
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
46
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
1,852.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
26
Velocidad de lectura, GB/s
5,535.6
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,852.4
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
858
2783
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link