RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
94
En -147% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
38
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
3147
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link