A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Средняя оценка

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Сообщить об ошибке

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Причины выбрать
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 94

Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.4 1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.6 1,165.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

94 38
Скорость чтения, Гб/сек

1,882.0 15.4
Скорость записи, Гб/сек

1,165.4 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

305 3147

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351U7CFR8C-PB 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB

модули RAM