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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
94
En -213% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
1,165.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
94
30
Velocidad de lectura, GB/s
1,882.0
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,165.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
305
2709
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
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