RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
比較する
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
総合得点
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
総合得点
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
バグを報告する
考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
94
周辺 -213% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16
1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.3
1,165.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
6400
周辺 3.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
94
30
読み出し速度、GB/s
1,882.0
16.0
書き込み速度、GB/秒
1,165.4
12.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
23400
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
305
2709
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB RAMの比較
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link