RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Compara
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Puntuación global
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Puntuación global
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
42
En 38% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
42
Velocidad de lectura, GB/s
14.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.1
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2330
2595
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU6AFR8C-PB 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link