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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En -155% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
1,925.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
22
Velocidad de lectura, GB/s
4,315.2
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,925.7
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
658
3394
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
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