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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Puntuación global
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
12.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
48
52
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
1,145.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
4200
En 5.07 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
52
48
Velocidad de lectura, GB/s
2,614.5
12.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,145.9
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
21300
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
409
3061
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
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